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荷蘭皇家帝斯曼日前發(fā)布了Stanyl ForTii高性能聚酰胺4T，以滿足下一代新型動態(tài)隨機(jī)存儲器DDR4對連接器材料熱性能與機(jī)械性能的超高要求。

    作為市場上最新型的下一代動態(tài)存儲器，DDR4的數(shù)據(jù)傳輸速度是前一代DDR3的兩倍。此外，DDR4將顯著提升計算機(jī)的功率管理、處理速度和性能表現(xiàn)。與此同時，技術(shù)對內(nèi)存組件與插座的外殼與隔熱材料提出了更高要求。

   Stanyl ForTii全面符合電子產(chǎn)品綠色化的設(shè)計趨勢：

   在電子技術(shù)中，綠色設(shè)計歷來是熱點(diǎn)主題。除了尋求更高效的能源消耗，OEM廠商愈發(fā)限制了鹵素用于連接器主體等配件塑料阻燃劑。因此，支持下一代綠色設(shè)計的內(nèi)存必須符合更高性能的多樣性需求、更大的能源密度、更高的可靠性、低能耗以及避免使用潛在的有害材料。

   隨著電子工業(yè)日益強(qiáng)調(diào)的可持續(xù)性發(fā)展，連接器材料不僅致力于避免使用有害材料，符合歐盟的RoHS(有害物質(zhì)限制)指令2011/65/EU，還必須符合IEC61240-2-21的相關(guān)要求。OEM廠商已經(jīng)要求使用的無鹵阻燃材料、PA46和PA4T聚酰胺能保證未來與客戶要求的一致性，從而避免了連接器生產(chǎn)廠家和OEM廠商對合格性進(jìn)一步重新驗(yàn)證的要求。更重要的是，未來能減緩日益嚴(yán)重的電子垃圾問題。

    為了保證連接器在FR 4 印制線路板(通常由FR4玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂層壓板制成)上實(shí)現(xiàn)高共面度，F(xiàn)R4和連接器外殼材料之間的線性熱膨脹系數(shù)(CLTE)必須高度匹配。Stanyl ForTii不僅滿足這些要求，還擁有高剛度和高負(fù)載變形溫度兩大特點(diǎn)。因此，回流焊接到印制線路板后，Stanyl ForTii連接器的極低翹曲變形優(yōu)于任何DDR3的液晶材料或聚鄰苯二甲酰胺材料。

   此外， DDR4連接器的針腳間距為0.85mm，比DDR3短0.15mm，對針腳的耐拉強(qiáng)度提出了嚴(yán)峻的考驗(yàn)。在這一點(diǎn)上，Stanyl ForTii連接器再次超越了液晶材料，在回流焊電路板裝配完成后仍能保證0.3千克力的最低耐拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)。

   Stanyl ForTii主要取決于DDR4能否迅速為市場所接受

  最新一代的計算機(jī)內(nèi)存，DDR4距目標(biāo)市場的占有份額將于2014年開始攀升。到第一季度末，生產(chǎn)商正準(zhǔn)備從DDR3轉(zhuǎn)移到DDR4。DDR4內(nèi)存將首先出現(xiàn)在服務(wù)器中，OEM廠商正不遺余力地在這一領(lǐng)域?qū)で蠼档湍芎耐瑫r提高性能的方法。大約2014年第四季度，首批使用DDR4的高端臺式機(jī)和游戲平臺將上市。